Совместным предприятием I IM Flash Technologies (IMFT) был создан первый кристалл NAND-памяти, имеющий емкость в 16 ГБ. Новинка производилась при использовании 20-нм технологической нормы, что позволяет иметь плотность записи выше в два раза по сравнению с имеющимися сейчас на рынке модулями памяти.

В компании разъясняют, что объединив 8 кристаллов, возможно создание чипа, емкость которого будет доходить до 128 Гб, а размер микросхемы не превысит размера ногтя, что является на данный момент прорывом.

Для совершения такого прорыва в области производства флэш-памяти инженеры специально занимались разработкой технологии масштабирования ячеек, пользуясь инновационной планарной структурой. Это дало возможность достичь надежности и скорости, которыми сейчас обладают многие новые устройства.

Возможности новой разработки смогут применяться в планшетах и смартфонах, а также в системах для хранения данных. Тестовые образцы появятся уже в январе будущего года, а в серийное производство они уйдут ближе к лету.

Сначала будет осваиваться производство кристаллов в 8Гб, так как серийное производство уже началось в декабре, а затем планируется перевести производство на 16Гб модули памяти.